热压氮化硅陶瓷

热压氮化硅陶瓷

氮化硅陶瓷隔热罩<br>

以不同含量的YF3和MgO作为烧结助剂，对Si3N4进行热压烧结， 研究了烧结助剂含量对氮化硅陶瓷的相对密度、烧结反应、稀土 元素分布以及硬度、强度和断裂韧性等力学性能的影响实验结 果表明，仅添加YF3的样品生成了YSiON四元化合物，而同时添加 MgO的样品生成MgYSiO 四元化合物；样品的抗弯强度随YF3和MgO 添加量的增加而增加，高可以达到959 MPa；而硬度则随着YF3 的增加从20GPa降低；添加2%YF3(质量分数)氮化硅陶瓷的断裂韧<br>

氮化硅的硬度高，Hv=18GPa～21?Gpa，HRA=91～93，仅次于金刚石、立方BN、B4C等少数几种超硬材料，摩擦系数小(O．1)，有自润滑性，与加油的金属表面相似(0．1--0．2)通常在常压下1900℃分解<br>
比热容为0.71J/(g·K)，生成热为-751.57kJ/mol<br>
氮化硅陶瓷表面经抛光后，有金属光泽<br>

纳米氮化硅陶瓷表现出原始短裂纹扩展特征,随起始粉末中较粗的-Si3N4粉末含量的增加,纳米氮化硅的抗热震性能提高,即在纳米尺度范围内,较大晶粒的Si3N4陶瓷具有较高的抗热震性 (2)Si3N4陶瓷的致密化程度影响其力学性能和抗热震性能,组织中显微孔洞的存在一定程度上有利于抗热震性能的改善 (3)与常规氮化硅陶瓷相比,纳米氮化硅陶瓷的抗热震性略差<br>
熔点1900℃（加压下）<br>

碳化硅材料具有良好的非线性导电特性，碳化硅的导电机理目前还没有一个统一的看法，但是可以肯定的一点是：碳化硅的伏安特性的非线性是由颗粒间的接触现象所引起的，其电阻可以随电场的增加而自动降低，从而达到自动调节场强的目的，所以碳化硅是一种理想的防电晕材料<br>

研究说明了弹性模量与硬度在理论上不存在立的关系，它们的关系一定要随材料的能量耗散能力而变任何一种材料的能量耗散能力可以很方便地通过材料的硬度和弹性模量来评价，同时对于已知能量耗散能力的材料，弹性模量可以从硬度值估测<br>
关键词：湖南氮化硅，成都超纯 氮化硅，氮化硅+武汉，安阳氮化硅，河南巩义氮化硅