氮化硅陶瓷研磨棒

氮化硅陶瓷研磨棒

氮化硅陶瓷 铜丝输送<br>

Si3N4陶瓷由于具有高比强、高比模、耐高温、抗氧化和耐磨损以及抗热震等优点,在高温、高速、强腐蚀介质的工作环境中具有特殊的使用价 值近年来,国内外竞相对它进行研究和开发,使其应用范围不断扩大<br>

氮化硅（Si3N4）存在有3种结晶结构，分别是α、β和γ三相，α和β两相是Si3N4常出现的型式，且可以在常压下制备，γ相只有在高压及高温下，才能合成得到，它的硬度可达到35GPa
氮化硅在 600℃以上能使过渡金属（见过渡元素）氧化物、氧化铅、氧化锌和二氧化锡等还原,并放出氧化氮和二氧化氮<br>
比热容为0.71J/(g·K)，生成热为-751.57kJ/mol<br>
氮化硅陶瓷表面经抛光后，有金属光泽<br>

事实上,陶瓷材料中总是不可避免地存在着或大或小数量不等的微气孔和微裂纹,热震条件下出现的裂纹核未必会立即导致材料的破坏在多数情况下,我们考虑的是材料抵抗裂纹扩展的能力,即用断裂力学观点来评价陶瓷材料的抗 热震性<br>

氮化硅熔点1900℃<br>
比体积电阻，20℃时为1.4×105 ·m,500℃时为4×108 ·m氮化硅陶瓷可做高温绝缘材料，其性能指标的优劣主要取决于合成方式与纯度，材料内未被氮化的游离硅，在制备中带入的碱金属、碱土金属、铁、钛、镍等杂志，均可恶化氮化硅陶瓷的电性能，一般氮化硅陶瓷在室温下、在干燥介质中的比电阻为1015～1016欧姆，介电常数是9.4～9.5，在高温下，氮化硅陶瓷仍保持较高的比电阻值，随着工艺条件的提高，氮化硅可以进入常用电介质行列<br>

目前常用的断裂韧性测量方法有双层悬臂梁试 验、三点弯曲或四点弯曲试验、压痕试验等Oian 对拉伸方法进行了改进，通过测量临界应变能量释放率评价涂层 基体界理论基础 测量弹性模量的三点弯曲法在测量涂层弹性模量的方法中，以三点弯曲试 验为常用，可以采用双面涂层试样和单面涂层试 样两种<br>
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